今年64層疊加的3DTLC閃存已經(jīng)是SSD市場(chǎng)的絕對(duì)主流，96層疊加閃存的SSD也開(kāi)始上市，廠家們已經(jīng)向更高層的128層疊加進(jìn)軍，年初的2019閃存峰會(huì)上SK海力士和國(guó)內(nèi)的長(zhǎng)江存儲(chǔ)已經(jīng)公布了他們的開(kāi)發(fā)計(jì)劃，現(xiàn)在東芝和西數(shù)的128層疊加閃存計(jì)劃也泄露了。
BlocksampFiles獲得東芝和西數(shù)的128層疊3DNAND的一部分資料，被命名為BiCS5，96層疊3DNAND被稱為BiCS4，128層疊閃存被用于CuA設(shè)計(jì)，邏輯電路層在芯片底部，數(shù)據(jù)層疊在上面，與非CuA技術(shù)相比目前公布的128層疊加3DNAND采用TLC設(shè)計(jì)，存儲(chǔ)密度接近96層疊加的3D屏QLC，存儲(chǔ)密度比自家的96層疊加3DTLC提高了29.8%，采用QLC設(shè)計(jì)，存儲(chǔ)密度更高。
BiCS5的閃存單die采用4次Planes設(shè)計(jì)，與2Planes設(shè)計(jì)相比，寫(xiě)入速度從66MB/s提高到132MB/s，SSD認(rèn)為SLCCache用光后TLC的原始寫(xiě)入速度并不難看，但具體寫(xiě)入速度的表現(xiàn)必須看主控制的算法，如果使用全盤(pán)SLCCCCache的方案，Cache用光后也看不見(jiàn)。
預(yù)計(jì)東芝與西數(shù)會(huì)在2020年末開(kāi)始投產(chǎn)128層堆疊的BiCS-5閃存，而產(chǎn)能應(yīng)該在2021年才會(huì)提上去，屆時(shí)才能看到對(duì)應(yīng)的SSD產(chǎn)品。
