大家都知道SSD的數(shù)據(jù)傳輸速度快，但容量仍然是它的主要缺點。英特爾和三星已經(jīng)通過一種名為3D NAND的技術(shù)解決了這個問題。三星新推出的850 Evo SSD存儲容量可達(dá)120GB，尺寸僅略大于一個u盤，證明3D NAND可以有效增加SSD的容量。
但3D NAND并不是唯一能幫助增加SSD容量的技術(shù)。成立于2010年的硬件初創(chuàng)公司Crossbar一直在開發(fā)一種名為RRAM(電阻式隨機(jī)存取存儲器)的技術(shù)，這是一種非易失性隨機(jī)存取存儲器，這意味著它存儲的信息即使在斷電后也不會丟失。
Crossbar的方法是將RRAM堆疊成立方體狀結(jié)構(gòu)，理論上一個芯片的存儲容量可以達(dá)到1TB。聽起來不錯吧？但是它有一個問題：正常情況下，內(nèi)存芯片的接近會造成漏電流，導(dǎo)致能耗增加，最壞的情況甚至?xí)尮虘B(tài)硬盤無法使用。用Crossbar的話來說，“多條平行導(dǎo)電路徑會導(dǎo)致電流泄漏，從而限制最大陣列尺寸，增加能耗。”
這一限制將使Crossbar“過時”，但Crossbar工程師表示，他們已經(jīng)開發(fā)了一種名為1TnR的解決方案，將多達(dá)2000個存儲單元連接到一個晶體管上。該方案使Crossbar能夠避免漏電流問題，這意味著生產(chǎn)大容量固態(tài)驅(qū)動器的可能性大大提高。另外，采用這種設(shè)計，固態(tài)硬盤的使用壽命可以達(dá)到1億個使用周期，開關(guān)機(jī)狀態(tài)的切換可以在50納秒內(nèi)完成。這使得它的使用壽命超過了消費(fèi)者的需求。
實際上，Crossbar的RRAM突破意味著它可以將超大型固態(tài)硬盤的存儲容量壓縮到郵票大小的空間。這款固態(tài)硬盤的尺寸甚至比使用三星V-NAND和英特爾3D NAND的固態(tài)硬盤還要小。例如，11英寸的Chromebook將配備1TB固態(tài)硬盤。
然而，用戶將不得不等待更長的時間，因為采用Crossbar技術(shù)的固態(tài)硬盤最早要到明年年底才能上市銷售。這類產(chǎn)品更有可能在2016年上市。目前還不清楚制造商是否對Crossbar技術(shù)感興趣。Crossbar沒有透露該公司的早期客戶。交叉開關(guān)技術(shù)仍然面臨幾個障礙。如果成功，采用Crossbar技術(shù)的SSD將獲得急需的容量優(yōu)勢。
