昨天我介紹了未來英特爾臺式機(jī)市場的主流產(chǎn)品Skylake-S。今天，我將談?wù)劜┑峦?strong>-E，旗艦產(chǎn)品。這款產(chǎn)品可以算是Haswell-E的升級版，生產(chǎn)工藝也從22nm升級到了14nm。至于其他產(chǎn)品，似乎沒有太大變化。
博德威爾-E將繼續(xù)使用LGA2011-v3接口。主板還是X99，有8核和6核版本，都沒有鎖定倍頻。最多可提供PCI-E通道數(shù)，TDP仍為140W。Broadwell-E和Haswell-E規(guī)格最大的區(qū)別應(yīng)該是DDR4的內(nèi)存頻率提升到了2400MHz，但是這個(gè)提升和沒有提升差不多。
至于它的發(fā)布日期，明年是不可能了。布羅德韋爾-E的Pre-ES樣本將于明年第二季度發(fā)出，ES樣本將于第36周發(fā)布，最終的QS將于第47周發(fā)布。量產(chǎn)將等到2016年第一季度，那時(shí)旗艦平臺完全沒有競爭對手，所以英特爾不會擔(dān)心(AMD:怪我)
